梁骏吾（1933年9月18日~2022年6月23日 ），1933年9月18日出生于湖北省武汉市。中国工程院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师 ，我国著名半导体材料学家、我国早期半导体硅材料的奠基人 。
    1955年从武汉大学物理专业毕业 ；1956年至1960年就读于前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所；1960年毕业并获得副博士学位，之后回国担任中国科学院半导体研究所副室主任、助理研究员；1970年至1978年担任湖北宜昌半导体厂助理研究员；1978年晋升为中国科学院半导体研究所研究员 ；1997年当选为中国工程院院士 。
    梁骏吾先后从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，大规模集成电路用硅单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOCVD AlGaAs/GaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为，SiC外延生长和GaN基材料的生长 。
    2022年6月23日，梁骏吾因病医治无效在北京逝世，享年89岁。
    
    人物生平
    
    1933年9月18日，梁骏吾出生于湖北省武汉市。
    1951年—1955年，就读于武汉大学物理专业，毕业并获得学士学位 。
    1956年—1960年，就读于前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所，毕业并获得副博士学位。
    1960年—1969年，担任中国科学院半导体研究所副室主任、助理研究员。
    1970年—1978年，担任湖北宜昌半导体厂助理研究员。
    1978年，晋升为中国科学院半导体研究所研究员 。
    1997年，当选为中国工程院院士 。
    2014年10月，梁骏吾与宜昌南玻硅材料有限公司签约，并在宜昌南玻会议室举行院士专家工作站授牌签约仪式 。
    2022年6月23日，半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾因病医治无效在北京逝世，享年89岁。
    
    科研成就
    
    梁骏吾负责国家十二年科技规划中的高纯硅研制，得到电阻率为15×104ohm-cm的硅单晶，是当时国际上最好结果之一，获1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖。研制的硅无坩埚区熔提纯设备获1964年国家科委全国新产品二等奖。1964—1965年负责组建GaAs液相外延研究。1965年首次研制成功中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料。1966—1969年负责156工程中集成电路用硅外延材料任务。解决了连续生长硅高掺杂外延层、SiO2介质层、多晶硅层的工艺技术。为中国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研制中，成功制备大规模集成电路用无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质量直拉硅单晶。该两项研究分别获中科院1979年及1980年重大成果一等奖。20世纪80年代首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获1988年中科院科技进步一等奖。完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。完成了MOCVD生长 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任务，突破了中国多年来未能生长低阈值的量子阱激光器材料的局面。他还从事光伏电池材料和器件工作 。